Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОТЕХНИКА → Полупроводниковые материалы
29.045. Полупроводниковые материалы
- Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии - Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 - Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination
Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии - Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота
Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами - Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния
Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination
Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом
